3.49~50方面，芯片备货需求持续走强，而供应端产能依然受限，供应持续偏紧，3月份市场均价维持小幅上涨。

图4CoCrNi中熵合金的变形诱导hcp纳米片层及其尺寸强化效应[4]2.3李晓雁(1)单晶高熵合金微柱/纳米柱的变形机制和显著的应变硬化目前，互连对于体心立方(BCC)相单晶高熵合金(HEAs)的塑性变形机理的研究非常有限。对于机械诱导的纳米金属GBM，市场有不同的解释模型，其中位移位移完全位错模型和耦合模型受到了广泛的关注。

了解TiAl合金的蠕变机理对于TiAl合金的设计、年达制造和高温应用至关重要。然后，亿美元利用分子动力学模拟研究了hcp纳米片层的尺寸对fccCoCrNi薄膜拉伸行为的影响。这些模型已经成功地理解了GBM的机理，芯片但仍有一些实验现象有待解释。

(d)制备试样和拉伸试样的大小角晶界分布[2]2.2武晓雷(1)中熵合金化学短程有序研究中取得进展多主元复杂的固溶体作为高熵或中熵合金HEA与或MEAs已被广泛研究，互连常常假定这些材料具有理想解决方案的高组态熵。模拟结果表明，市场外加应力、晶粒尺寸和温度对纳米晶和纳米孪晶TiAl合金的蠕变行为和机理的影响，与基于经典的Bird-Dorn-Mukherjee方程的预测相一致。

本文在扫描电子显微镜下对单晶BCCAlCrFeCoNi微柱/纳米柱进行了原位单轴压缩，年达其直径为2701583nm，三个方向(包括[100]、[110]和[111])。

通过形成这些稳定的结构，亿美元抑制了扩散控制的金属间化合物从纳米晶粒的析出和它们的粗化，亿美元直到平衡熔化温度，在平衡熔化温度附近表观跨界扩散率降低了约7个数量级。图4收集风能的耐久性和输出性能a）FSS-TENG和滑动TENG（S-TENG）的耐久性测试，芯片运行10万次。

重要的是，互连经过10万次的稳定性测试，FSS-TENG表现出卓越的耐久性，输出性能没有任何阻尼，设备也没有任何磨损。市场h）在300rpm时匹配阻抗和输出功率。

年达f）设备的俯视图和侧视图照片。团队提出的有效电荷激发策略将接触分离TENG的电荷密度在空气环境中提高到1.25mCm-2，亿美元并通过量化电荷激发下的接触状态进一步达到2.38mCm-2。